前言：

一家把从设计到封装全部闭环视作信仰的存储巨头，首次把HBM最底层的逻辑地基交给了代工宿敌。

这枚藏在堆栈底部的裸片，撬动的远不止一纸订单。

作者 | 方文三

图片来源 | 网络

一纸代工单，三星亲手拆掉了自己的技术闭环

近日，《首尔经济日报》消息称三星电子决定采用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片。

三星做HBM的方式，向来带着财阀式的骄傲。从DRAM核心裸片到基底裸片，再到封装测试，全部由自家产线闭环完成。

今年2月量产的HBM4就是这条路线的巅峰之作，核心裸片用第六代1c DRAM工艺，基底裸片用自家代工部门的4纳米逻辑工艺，客户拿到手的是一颗彻底的三星产品。

这套交钥匙模式曾被外界讥为体系庞杂，三星自己却把它当成对抗专业分工阵营的护城河。

英伟达没有兴趣欣赏这座护城河，变化在2026年8月被推到极致，英伟达发布定制存储架构NVHBM，把原本位于XPU内部的存储控制器整体搬进HBM底座，配上自研物理层接口。

按官方口径，这套设计能将PHY及辅助电路面积缩减最高67%，给计算芯片腾出最高25%的面积去堆算力电路，单堆栈带宽较标准HBM4E提升最高30%，功耗降低最高15%。

随后它向三星、SK海力士、美光三家供应商下达统一要求，基底裸片一律采用台积电3纳米工艺，核心裸片一律采用1c DRAM工艺。

据业界消息，亚马逊Annapurna实验室已决定用NVLink Fusion加NVHBM设计下一代Trainium4加速器。

堆层数决定容量上限，底座决定性能下限。这颗芯片成了整条产品线的胜负手。

这道要求的杀伤力在于它否定的是三星的主权，三星的设备解决方案事业部经过内部评估后选择接受。那个坚持了二十多年的垂直整合堡垒，第一次在制造环节为竞争对手打开城门。

英伟达要的不是更强的内存，而是更听话的供应链

表面看，NVHBM是一次技术升级，相较标准HBM4E，NVHBM内存带宽最高可提升30%，功耗最多降低15%，芯片物理层占用面积大幅压缩。

把控制器从计算芯片挪进基底裸片，还为GPU腾出了宝贵的芯片面积，可以塞进更多计算单元。

技术红利之下藏着一层更冷的算计，此前三家存储厂在基底裸片的设计与制程上各搞一套，英伟达每导入一家供应商，就要重走一遍兼容性与性能验证流程。

在AI芯片一年一代的节奏里，统一3纳米基底工艺之后，三家的产品在英伟达平台上可以无缝互换，验证资源省下来，导入周期缩下去。

英伟达没有从三家供应商中挑一家独宠，而是把三家的底层全部拉平，让它们在同一块台积电解出的逻辑地基上竞争DRAM堆叠的真功夫，供应商之间的可替代性被制度化了，定价权与话语权随之向买方集中。

台积电什么都没做，只是站在那里，就成了这场标准化运动的最大硬件受益者，它把HBM里最有技术含量的那层逻辑收入囊中。

让渡3纳米基底，是一笔用面子换里子的账

三星的让步并非没有代价，基底裸片恰恰是它代工业务眼下最肥的一块肉。业内消息称，三星4纳米产线约50%至60%的产能正在生产HBM4基底裸片，平泽工厂每月数万片晶圆的产出撑起了代工部门的利用率。

得益于HBM4放量，Kiwoom证券测算三星晶圆代工与系统LSI业务2026年的合并营业亏损将同比收窄41.8%，从6.74万亿韩元降至3.92万亿韩元。

7月，三星甚至有余裕上调4纳米新订单价格，部分节点涨幅达10%至15%。把NVHBM的基底裸片让给台积电，等于把正在止血的伤口又划开一道。

账的另一边同样清晰，2026年第二季度，三星在全球HBM市场的份额已回升至33%，与份额50%的SK海力士差距收窄到17个百分点。

SK海力士从HBM4起就把基底裸片外包给台积电，美光更是早早宣布HBM4E的逻辑基底全面与台积电合作。

定制HBM的牌桌上，三星是唯一还端着全自产架子的玩家，而这个架子正在变成负担。客户要定制，三星的全集成方案无法覆盖所有规格需求。

三星的精明在于让得有分寸，标准HBM以及面向AMD等其他客户的定制产品，依旧维持全自主生产。

核心DRAM裸片、堆叠封装这些真正决定良率与容量的环节，一毫米都没有让。它还把自有产线生产NVHBM基底的可行性验证握在手里，2纳米工艺被列为备选，以防台积电产能见顶。

让出去的是一层裸片的制造权，守住的是英伟达供应链的入场券和随时收回的暗门。

HBM的下半场，胜负手从堆叠层数移到了逻辑底座

这桩合作最深远的影响，在于它宣告了HBM竞争坐标系的迁移。HBM4之前，基底裸片用DRAM工艺就能胜任，存储厂的比拼集中在堆叠层数、TSV良率与封装路线。

HBM4把I/O宽度翻倍，基底裸片被推向先进逻辑工艺，定制HBM更进一步，客户的内存控制器、接口逻辑乃至近存计算模块都要写进这层底座，内存正变成系统厂商亲手参与定义的系统组件。

坐标系一变，DRAM堆叠的工艺壁垒依然高耸，可增量价值正加速流向基底裸片里的定制逻辑。

英伟达用买方权力拿走了定义权，台积电用制程能力拿走了制造权，留给存储厂的是DRAM本业与封装。

利润池的中心在移动，存储三强都在向高附加值的组装集成商演化。三星的反应是三家中最诚实的，它一边让步，一边把从系统LSI部门挖来的设计人才塞进存储业务部门，准备在客户的基底裸片上亲自执笔设计。

结尾：

存储器长出了逻辑，计算的边界随之松动。三星交出的是一颗底座芯片的制造权，接回来的是AI存储牌桌上的入场券。

参考来源：首尔经济日报：《Samsung to Use TSMC for Base Die in Nvidia's Custom HBM》，英伟达技术博客：《NVIDIA NVLink Fusion Brings NVHBM to Next-Generation AI Infrastructure》，台积电官方：《TSMC Reports Third Quarter EPS of NT$29.43》，Tom's Hardware：《Nvidia custom 'NVHBM' promises 30% higher bandwidth, 15% lower power than commodity HBM4e》

       原文标题 : 热点丨三星HBM首度交由台积电，定制控制器集成到底层芯片