当3D NAND闪存的堆叠层数突破300层、向400层乃至600层迈进时，一场发生在纳米级金属布线层的材料革命正在悄然改变存储产业的竞争格局。

据韩媒报道，SK海力士已完成375层3D NAND闪存（V10系列）的生产验证，计划年内通过改造清州M15工厂现有产线实现量产。此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼（Mo）材料替代传统钨（W）材料制作字线。

而行业龙头三星电子则更早一步——自2024年4月量产286层第九代3D NAND起，便已将钼应用于金属布线环节，其第十代400层以上产品定于今年下半年推向市场。

两大存储巨头相继"以钼代钨"，不仅意味着3D NAND工艺进入新的技术周期，更在半导体材料供应链上掀起涟漪：钼材料从何而来？工艺成熟度如何？未来三年会否出现紧缺？A股哪些企业能切入这一赛道？

钨的瓶颈与钼的突围

字线是连接存储单元控制栅极的水平控制线，负责选择和操作特定行的存储单元。随着3D NAND堆叠层数不断增加，传统钨材质的物理短板愈发凸显。

"线路细化后，钨的电阻会显著上升，直接拖慢信号传输速率。"据媒体报道，"同时，钨在制程中还需要额外铺设阻挡辅助层，逐层叠加后会挤占空间，影响芯片集成密度。"

钼的物理特性恰好补上了这一缺口。在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度；且钼无需额外增设阻挡层，可直接完成填充，进一步提升芯片存储密度。

但钼的引入并非"即插即用"。钼前驱体在常温下为固态，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时精准把控物料的供给量与输送速率，对设备和制程管控要求极为严苛。

SK海力士在考察了泛林集团（Lam Research）和东京电子（TEL）的设备后，最终选择了后者的炉式设备——其可一次性完成约100片晶圆的沉积作业，在设备采购成本、场地占用以及钼物料消耗上更具性价比。

供应链格局：谁在给巨头供货？

在SK海力士的供应链体系中，液化空气集团（Air Liquide）、英特格（Entegris）和默克公司（Merck）被确定为钼材料供应商。韩国本土企业SK Specialty也被提及为潜在供应商，双方正在商讨SK Specialty借用液化空气集团的供应系统来供应钼材料的方案，SK海力士正积极推动这一合作。

而在三星电子的供应链端，公开信息相对模糊。行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，后续需求还将逐年走高，预计2030年将达到80吨。SK海力士从明年开始大规模导入钼工艺，初期年采购量也将达到4吨左右。

"目前3D NAND字线用钼材料的核心供应商仍集中在欧美和日韩化工巨头手中，"一位半导体材料行业分析师指出，"这属于典型的寡头垄断格局，进入门槛极高，不仅涉及高纯度钼前驱体的合成技术，还需要与存储大厂的制程深度绑定，认证周期通常长达3-5年。"

国内企业的"近水"与"远火"

在A股市场中，与"半导体+钼"概念挂钩的企业不在少数，但需要区分的是：3D NAND字线所用的钼材料是钼前驱体（用于CVD/ALD化学沉积工艺），而国内企业目前突破较多的是钼靶材（用于PVD溅射镀膜），两者属于不同的技术路线和应用场景。

隆华科技（300263.SZ）是近期市场关注的焦点。公司旗下丰联科光电的高纯钼及钼合金靶材、银合金靶材已于2026年成功通过韩国三星的品质稽核和产品验证，导入其供应链并批量供货。但据公司公告及行业人士确认，该类产品主要应用于AMOLED显示面板的溅射镀膜环节，而非3D NAND字线沉积。

金钼股份（601958.SH）作为国内钼产业链龙头，在2025年年报中披露"氧化钼半导体靶材等多项新产品研发攻克关键核心技术"，电子行业用精密钨钼零部件实现产品交付。但公司尚未明确披露在半导体级钼前驱体领域的进展。

在前驱体材料领域，雅克科技（002409.SZ）是国内唯一实现半导体前驱体材料国产替代的企业，产品覆盖硅前驱体、High-K前驱体和金属前驱体，客户包括SK海力士、三星电子、长江存储、合肥长鑫等头部芯片制造商。但公司目前的核心产品是否包含钼前驱体，尚未有公开信息确认。

值得关注的是，南大光电在钨前驱体领域已实现突破——其二叔丁基氨基钨（TBAT）用于3D NAND字线沉积，已通过长江存储验证并替代日本JSR产品。这证明国内企业在存储芯片字线金属前驱体领域具备技术攻关能力，但钼前驱体作为更前沿的材料，国产化进程尚未见明确突破。

"国内企业在钼靶材、高纯钼粉等方向已有一定积累，但半导体级钼前驱体对纯度、稳定性、蒸汽压控制的要求极为苛刻，目前仍依赖进口。"上述分析师表示，"随着国内存储厂商（如长江存储、长鑫存储）向更高层数3D NAND迭代，钼前驱体的国产替代需求将逐步显现，但这需要时间。"

钼价已涨35%，未来三年会紧缺吗？

存储巨头对钼材料的"刚需"，正在搅动大宗商品市场。据上海钢联数据，钼铁价格从2025年12月31日的23万元/吨，攀升至2026年6月1日的31.2万元/吨，半年内涨幅约35.6%。钼的核心应用领域依然是钢铁行业，但新能源、半导体等新兴需求正在快速崛起。

从全球供需格局看，钼市场正处于紧平衡状态。东兴证券研报指出，2024-2027年间全球钼供给端复合年增长率（CAGR）或难以突破2%，而需求端CAGR或达3.8%，供需缺口有望在2027年扩大至1.3万吨。钼精矿价格中枢有望持续上行并回归到5000元/吨度以上的水平。

"短期来看，钼价上涨主要受供给弹性差、海外主产区产出缩减以及下游特钢需求扩张驱动，"上海钢联分析师表示，"半导体领域对钼的需求目前绝对量还不大（全球年需求仅十余吨级别），但增速极快，且对材料纯度要求远高于传统工业领域，可能带动高端钼材料溢价。"

不过，多位业内人士指出，未来3年内，半导体级钼材料出现"量缺"的可能性较低。"目前三星、SK海力士的钼材料年采购量还在个位数到十位数吨级，与全球钼年产量（约30万吨）相比微不足道，"一位化工行业研究员表示，"真正的瓶颈不在于矿产端，而在于半导体级钼前驱体的提纯和合成能力——这才是可能形成'卡脖子'的环节。"

结语

从钨到钼，看似只是元素周期表上的一次"横向移动"，实则是3D NAND技术路线演进倒逼材料体系重构的缩影。随着存储芯片向400层、600层乃至更高堆叠迈进，钼材料的应用范围还将持续扩大。

对于中国企业而言，短期内在3D NAND字线钼前驱体领域实现国产替代仍面临技术壁垒和认证周期的双重挑战。但长期来看，国内存储厂商的扩产迭代、国产替代的政策推力，以及已在靶材、钨前驱体等领域积累的技术经验，均为本土企业切入这一赛道提供了窗口期。

当三星和SK海力士为下一代存储芯片"抢钼"时，中国材料企业能否从靶材的"近水楼台"，走向前驱体的"远火燎原"，将是决定其在全球半导体材料供应链中话语权的关键一役。

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       原文标题 : 半导体钼时代开启！SK海力士"以钼代钨"年底量产，钼的"泼天富贵"砸向谁？