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3D NAND闪存, 藏了三张底牌
3D NAND 的 300层堆叠角逐才刚刚启幕，千级堆叠已是行业明确的发展方向。 可一旦层数迈过 300 层门槛，物理约束与成本效益的双重约束便接踵而至，传统堆叠方案难以为继。一众厂商对外继续角逐层数
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韩国破防了：LCD败了，OLED、DRAM、NAND芯片都已被中国追上了
说起来，韩国虽然小，只有10万平方公里左右，人口数量也只有5100万左右，和中国比，差的太远了， 还不如中国一个省面积大，不如一个省的人口多。 但是，不得不承认，韩国之前在很多科技领域还是很强的。 比
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NAND巨头奇袭，首攻DRAM！
日前，据半导体产业链消息，长江存储已完成LPDDR5工程样品开发，其武汉三期新厂刚刚封顶，计划将一半产能用于DRAM生产。这也意味着，这家中国NAND闪存领域的领头羊正式向DRAM市场发起进攻。 与此
存储 2026-02-05 -
三星、SK海力士启动新一轮NAND闪存扩产
全球半导体巨头三星电子和SK海力士正式打响尖端NAND闪存产能争夺战。据最新消息，两家公司计划在今年第二季度推进尖端NAND闪存的转换投资，其中三星电子正在讨论的投资规模约为每月4万至5万片晶圆，预计
三星 2026-02-02
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