日前，据半导体产业链消息，长江存储已完成LPDDR5工程样品开发，其武汉三期新厂刚刚封顶，计划将一半产能用于DRAM生产。这也意味着，这家中国NAND闪存领域的领头羊正式向DRAM市场发起进攻。

与此同时，全球存储芯片短缺问题持续扩大。美光预测HBM市场将比预期提前两年，在2028年达到1000亿美元规模。面对这一巨大市场，三星、SK海力士等国际巨头纷纷将产能转向高利润的HBM和DDR5产品，导致消费性和汽车市场用的通用型存储芯片供应紧张。

在这场全球存储大战中，长江存储选择了一条与众不同的路径。

存储市场的转折

发酵了大半年，大家都知道，当前全球存储市场正经历前所未有的结构性失衡。AI爆发式增长催生了对高性能存储芯片的“吞噬式需求”。

然后就是三大存储巨头不约而同地调整产能布局。2025年11月，三星电子将其韩国平泽、华城工厂的部分NAND闪存生产线转换为DRAM生产线，以紧急应对AI带来的DRAM需求激增。

近日，据供应链最新消息称，三星电子与SK海力士将在2026年共同削减NAND晶圆投片量，将产能重心转向利润更丰厚的HBM等DRAM产品。这一转变导致全球NAND供应缺口接近20%，DRAM缺口更为严峻。

在AI定义算力需求的今天，存储芯片显然已不再是简单的规模和成本游戏，而是考验各家对技术趋势的判断能力和战略调整敏捷性。

长江存储的跨界底气

长江存储从NAND跨界DRAM的信心源于其独创的Xtacking技术。这项技术是长江存储在做NAND闪存时研发出来的，其核心是“分离制造、垂直堆叠”的理念。

Xtacking技术的创新在于，先将存储单元和逻辑电路分别在两块不同的晶圆上加工，然后通过键合技术将二者垂直连接。这种方法使得NAND闪存可以达到更高的存储密度，长江存储已借此实现了232层3D NAND的堆叠。

更关键的是，这种垂直堆叠技术与HBM的制造理念相通。HBM需要通过硅通孔技术把多层DRAM芯片垂直堆叠在一起，这与长江存储在NAND领域积累的“盖楼”经验有异曲同工之妙。

长江存储的跨界战略显示出前瞻性布局。消息人士透露，长江存储两年多前就启动自主DRAM研发，具备扎实的技术基础和市场支撑。此次选择LPDDR5作为首波产品，直接瞄准了中国品牌智能手机供应链和数据中心对功耗的需求。

双线作战

长江存储进军DRAM领域后，中国存储产业形成了双线作战的格局。长鑫存储作为中国DRAM领域的开拓者，已成功量产DDR4与LPDDR4，并在2025年底官宣量产LPDDR5X。

长鑫存储正积极扩大产能，在上海扩建的工厂总产能将达到合肥基地的两至三倍。同时，该公司也在加速向DDR5迭代，并着力满足国内HBM需求。

这种“双龙头”格局增强了中国存储产业的战略韧性。长鑫存储从传统DRAM向HBM发起正面冲击，而长江存储则凭借其堆叠技术优势，从侧翼切入DRAM战场，形成了互补攻势。

根据Yole集团的数据，长鑫存储目前是全球第四大DRAM厂商，市场份额约11.1%，到2027年有望提升至13.9%。而长江存储的NAND市场份额也有望从2025年的约12%提升至2028年的15%。

中国存储芯片制造商的扩张将主要服务于国内需求。在全球存储芯片供应严重短缺的背景下，这为国内手机、汽车等产业提供了稳定的供应链保障。

随着武汉三期新厂在2026年下半年启动，长江存储正加速产能布局。这座新厂将以DRAM与NAND各约一半的比重进行产能配置，成为长江存储的首座DRAM生产基地。

即便加快扩产节奏，长江存储的产能仍难以满足中国整体需求。这也反映出中国半导体产业面临的巨大市场机遇。

在产能扩张的同时，长江存储还肩负着稳定国内供应链的使命。随着国际存储原厂追求高毛利，低毛利的消费性应用与汽车市场被变相边缘化。长江存储被要求均衡配置货源，优先确保本土内需供应链安全。

汽车电子系统对存储芯片的需求正随着智能化水平的提高而全方位升级。但在与AI服务器的资源争夺战中，汽车芯片供应处于下风，长江存储的产能分配对维持许多企业的“生命线”至关重要。