先进封装“楚汉争霸”:英特尔联手蓝思,台积电如何接招?

台积电的“护城河”,被英特尔与蓝思联手撕开了一道缝。

文|开蓉蓉
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台积电在先进封装领域十多年的“霸主”地位,第一次有了真正的悬念。
悬念的源头,是一份十天前在深圳签署的合作备忘录:蓝思科技与英特尔7月24日约定,共同推进TGV玻璃基板先进封装技术。英特尔CEO陈立武评价蓝思在精密玻璃加工、激光制造、规模化生产上具备“世界级能力”。
签约仅一周后,据《The Information》援引知情人士报道,台积电正与台湾IC载板龙头景硕科技合作,秘密研发一款对标英特尔EMIB的技术,内部代号“类EMIB”。
全球AI算力的下一场战争,不在晶圆厂的光刻机里,而在玻璃基板上。一个是进攻,一个是防守。先进封装领域的“楚汉争霸”,正式拉开帷幕。

玻璃基板:下一代封装的“必争之地”
要理解这场博弈的烈度,先要弄清楚一个基础问题:为什么大家都在抢玻璃基板?
随着AI芯片算力持续飙升,传统有机封装基板暴露出翘曲、损耗高、散热不足等固有短板。玻璃基板凭借热学稳定性佳、翘曲变形小、热膨胀系数与硅片高度匹配、高频介电损耗低、布线密度高等综合性能优势,成为先进封装下一代核心基材。
具体来看,玻璃的介电常数约为硅的三分之一,损耗因子比硅低两个至三个数量级,能有效降低衬底损耗与寄生效应。同时,玻璃基板天然支持面板级封装,可采用方形面板替代圆形晶圆,将面积利用率从晶圆的约50%-60%稳定提升至75%以上。
市场空间有多大?据Omdia测算,2026年全球封装玻璃基板市场规模预计达186亿美元,2030年有望突破320亿美元,年复合增长率约14.5%。研究机构普遍预测,2028年至2040年期间玻璃基板市场的复合年均增长率将达到67.2%。
正因为看到了这块“超级玻璃”的千亿级潜力,英特尔、台积电、三星电机、SKC、LG等全球巨头悉数入局。英特尔改造新墨西哥州工厂用于玻璃基板量产,计划2026年小批量试产、2027年规模化放量;台积电已建成含玻璃基板方案的CoPoS面板级封装试产线;三星电机与住友化学合资成立GlaSSEM,专注玻璃芯材料,拟2027年下半年全面投产。
业内普遍将2026年视为玻璃基板商业化元年。这场下一代封装材料的卡位竞争,正从资本预期进入产能与工艺的实质较量阶段。

图:玻璃基板产业链进度图
来源:财通证券研究所

英特尔的进攻:EMIB-T的“降维打击”
英特尔在先进封装领域并非新手。其EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)技术自2017年起就已进入大规模量产,应用于服务器、网络和HPC领域。但真正让市场侧目的,是2024年底推出的升级版:EMIB-T。

注:左侧为EMIB-T将贴装在基板上、无需硅中介层的简化结构;右侧为CoPoS将芯片贴装在大型中介层/面板上再与基板集成的结构。
图:EMIB-T与CoPoS结构对比图
来源:瑞银报告
EMIB-T到底强在哪里?
传统的CoWoS封装需要在处理器和内存下方放置一整块昂贵的硅中介层。而EMIB的做法完全不同,仅在两颗芯片需要高速通信的位置嵌入微型硅桥,其余区域使用有机基板。
打一个比方:CoWoS像是在两地之间铺一整条高速公路,而EMIB只在需要连接的地方架一座桥。
这个设计的优势直接体现在三个方面:
成本更低。据PCB及基板供应商欣兴电子透露,EMIB-T与CoWoS-L/R之间的成本差距最高可达50%。伯恩斯坦估计,EMIB封装成本为“每芯片几百美元”,而CoWoS在同等AI处理器上的成本为900至1000美元。省下来的封装开支,客户可投入其他研发生产环节。
面积利用率更高。EMIB使用矩形基板,减少了大型封装的浪费面积。
扩展能力更强。EMIB不受光罩尺寸限制,更适合未来越来越大的AI芯片设计。
EMIB-T中的“T”代表TSV(硅通孔),在嵌入式硅桥中加入垂直布线通道,允许电力和高速信号从封装底部直通而上,实现3D堆叠。
技术之外,还有两个“助攻”
EMIB-T的崛起,还赶上了两个“天时”。
首先,台积电CoWoS产能严重告急。在7月16日的财报电话会上,台积电CEO魏哲家坦承,公司封装产能“紧张到正在限制客户增长”。据市场分析,CoWoS产能目前已售罄至2026年及2027年,交货期长达52至78周。即便台积电正将月产能从2024年底的约35000片晶圆提升至2026年底的130000片,2026年的供需缺口仍约20%,即每5个订单中就有1个无法按时交付。
其次,客户需要“第二供应商”。长期以来,高端AI芯片封装几乎被台积电CoWoS垄断。对谷歌、英伟达、亚马逊等大客户来说,这不仅意味着议价权缺失,更意味着供应链风险集中。
于是,EMIB-T成了那个“恰到好处”的替代方案。据多家外媒报道,谷歌已向英特尔下单,计划2028年前委托其封装超过300万颗自研TPU;亚马逊AWS的Trainium3加速器也将采用英特尔EMIB-T平台;联发科更是在2026年5月宣布,训练类AI芯片继续用台积电CoWoS,推理类芯片则采用英特尔EMIB。英伟达目前正在评估是否在即将推出的处理器中采用该技术。
目前EMIB-T的封装总良率已接近90%,英特尔预计将在2027年开始批量提供封装解决方案。然而,基板良率仅停留在50%左右,成为制约产能释放的核心瓶颈。

蓝思科技的角色:从“手机玻璃”到“芯片基石”

注:红框为蓝思科技所覆盖的业务范围(TGV玻璃基板、金属化通孔沉积及多层互连布线)
英特尔的EMIB-T技术虽好,但有一个关键瓶颈:基板制造。
EMIB-T所用基板由三层结构精密协同构成:底层为基础有机基板面板,设有高精度凹槽用于精准定位硅桥;中层为覆盖硅桥的介电层堆叠;顶层则为内置TSV的硅桥本体。基板制造环节正是当前EMIB-T产业化进程中的关键制约点。
日本揖斐电(Ibiden)是英特尔EMIB基板的长期合作伙伴。2026年2月,揖斐电宣布斥资2200亿日元扩建其“Gama工厂”,专门用于EMIB-T基板生产,目标量产时间定在2027年底。2200亿日元相当于揖斐电过去三年资本开支的总和。一家日本基板巨头如此“下注”,本身就说明英特尔EMIB-T的订单预期已经清晰到可以支撑如此庞大的投资决策。
然而,即便有揖斐电的全力投入,EMIB-T的基板良率仍仅约50%。这正是蓝思科技切入的节点。
蓝思科技是全球消费电子玻璃加工的龙头企业,在玻璃后道加工领域拥有30余年技术积淀。早在2023年,公司便将TGV玻璃基板列为重点研发方向,并作为主要起草单位牵头制定相关工艺技术团体标准。

图:中游制造各环节流程图
来源:财通证券研究所
蓝思的TGV工艺到底有多硬核?公司独创的激光诱导、化学蚀刻成孔技术已实现百万级通孔0ppm的不通率,最低孔径可以做到10微米以下。
业内专家曾做过一个计算:如果单孔良率为99.9999%,那么在百万孔级别的基板上,整体良率仅约37%,这相当于每三块基板报废两块。而蓝思交出的答卷是0ppm。
这意味着在蓝思的TGV产线上,一百万个通孔中找不到一个不良品。对于英特尔这样对良率有极端执念的芯片巨头来说,这个数字本身就是合作的最大理由。
从激光诱导打孔到化学蚀刻成孔,再到物理气相沉积镀膜和电镀铜填充,一套自研工艺链已经跑通。公司目前已会同北美及韩国芯片代工和先进封装客户联合开发及验证22层玻璃芯载板。
产能规划同样清晰。据瑞银报告,蓝思建设的3万平方米专用工厂预计月产约3000块510×515mm玻璃面板(每块玻璃面板可分割为15块玻璃基板),会在2026年底前投产,预计2027年上半年可实现月产1万块玻璃面板的目标。目前线距加工能力为8至10微米。量产后单价可接近或略高于有机基板(约几千美元左右)。
蓝思预计来自潜在多个美国客户的市场空间约为小几千万颗(玻璃基板封装芯片),同时也在与其他潜在海外及国内客户接洽。
在良率方面,公司指出微裂纹、翘曲、电学性能等问题已全部解决,目前仅在CMP抛光减薄以及电镀环节微小孔隙问题存在少量良率损失,不过管理层有信心这些问题会在量产时得到解决。
一个有技术但缺产能,一个有产能但缺标准。英特尔与蓝思的结合,补齐了EMIB-T走向规模量产的最后一块拼图。

台积电的防守:“类EMIB”浮出水面
面对英特尔的步步紧逼,台积电的反击,比外界预想的来得更快。
2026年7月30日,外媒The Information援引知情人士报道,台积电正在推进一款全新先进芯片封装技术的研发工作,技术路线对标英特尔已实现商用的EMIB封装方案,企业内部工程师将该项目简称为“类EMIB”技术。
知情人士称,台积电正与景硕科技合作开发该技术,由景硕负责设计并制造承载硅桥、连接上方芯片零部件的基板。

图:英特尔EMIB-T与台积电CoPoS优劣势对比表
来源:瑞银报告
“类EMIB”的目标很明确:提供与英特尔EMIB功能相近的封装方案。更关键的是,台积电可能放弃RDL中介层,改用类似EMIB的硅桥直连方案,从而显著简化封装流程、降低成本、缓解产能压力。
但台积电的困境在于“左右互搏”。
台积电现有的技术路线是CoWoS,即通过在芯片下方放置硅中介层或RDL中介层来实现互联。这套体系已经跑通、已经量产、已经获得英伟达和AMD的信任。现在要推“类EMIB”,本质上是要部分否定自己之前的路线。
更要命的是产能。CoWoS产能已经极度紧张,台积电正全力扩产,在这种情况下抽调资源去开发一条全新路线,无异于一边开车一边换轮胎。
不过从另一个角度看,“类EMIB”更像是一种战略防守。分析人士指出,台积电自行研发类EMIB技术,“是防守也是扩阵,既防英特尔借封装优势反向渗透前段代工,也顺应客户对‘更多产能+更多整合方案’的双重诉求”。

图:台积电先进封装技术路线图
来源:瑞银报告
值得注意的是,台积电在更长期的玻璃基板路线上并未停步。据TrendForce报告,台积电目前聚焦CoPoS并锁定310×310毫米基板尺寸,已于2026年6月开始安装试产线进行技术评估和验证,预计2027年进入试产,2028下半年正式量产。
瑞银判断,英伟达Feynman可能是CoPoS的首个客户,2028年下半年至2029年导入,随后AMD和ASIC客户在2029-2030年跟进。而玻璃核心基板的量产或将在2030年后实现。
瑞银科技团队认为,英特尔的EMIB-T封装有望成为云AI ASIC芯片的第二大方案,并能在2027年下半年至2028年进入量产,以联发科/谷歌TPU为潜在首发客户。

格局展望:从“一家独大”到“双雄并立”
短期(2026-2027年):台积电仍占主导,但英特尔撕开了口子。
EMIB-T的封装良率已接近90%,与CoWoS处于同一水平。但基板良率仅约50%,大规模量产仍需时日。台积电凭借成熟的CoWoS产线和客户信任,短期内地位稳固。但谷歌TPU转单、英伟达评估EMIB、联发科采用双封装策略等信号表明,台积电的“唯一选择”地位正在松动。
中期(2028-2030年):双轨并行,客户分流。
瑞银在最新报告中进行了压力测试分析:即便EMIB-T成功起量,到2030年台积电在先进封装市场仍有望保持65%-70%的份额。市场将从“一家独大”走向“双雄并立”。客户的分化趋势已经显现:追求极致性能的继续用台积电CoWoS/CoPoS,追求成本效率和更大封装尺寸的转向英特尔EMIB-T。
这场竞争,受益的远不止芯片厂。CoPoS和EMIB-T将驱动新一轮设备资本开支周期,受益标的覆盖设备端(All Ring、GPTC、Chroma、ASMPT、Gudeng)和基板端(揖斐电、Unimicron)。瑞银指出,先进封装产业链正在成为半导体投资的核心主线之一。
长期:赢家不是技术,而是整个先进封装产业。
无论最终谁占上风,这场竞争本身已经证明了先进封装已从“幕后”走向“台前”,成为与晶圆制程同等重要的半导体创新驱动力。
正如行业人士所言,封装技术一向是台积电的强项,如今却要借鉴英特尔的设计思路,“说明EMIB的效率优势已经得到了竞争对手的认可”。
半导体的竞争,曾经是光刻机的竞赛。晶体管越做越小,制程节点从7nm追到3nm、再到2nm。这条路越走越窄,越走越贵。
而现在,竞争的焦点正在从“晶圆厂”转向“封装厂”。一块玻璃基板上的布线密度,正在定义下一代AI芯片的性能天花板。
英特尔和蓝思的联手,台积电“类EMIB”的仓促上阵,三星在HBM封装上的押注。巨头们几乎在同一时间把筹码押向了同一个方向。
这场关于“玻璃”的战争,才刚刚扣响扳机。
信息来源说明
数据来源:Omdia、SEMI(国际半导体产业协会)
研报来源:
瑞银(UBS) :《Can Intel challenge TSMC‘s advanced packaging leadership?》(2026年7月27日)
花旗(Citi) :《Lens Tech (300433.SZ / 6613.HK) Collaboration with Intel on Glass Substrate》(2026年7月26日)
浙商证券 :《蓝思科技事件点评:签署TGV合作备忘录,绑定intel深化玻璃基板战略布局》(2026年7月26日)
东吴证券 :《蓝思科技携手Intel布局TGV先进封装,打开半导体成长空间》(2026年7月26日)
财通证券 :《玻璃基板行业系列报告二:产业链巨头云集,国产加速突围》(2026年7月27日)
国金证券 :《非金属建材周观点:玻璃基板产业进程加快,AI链下半年预期差放大》(2026年7月12日)
报道来源:
蓝思科技:《公司与英特尔签署合作备忘录,聚焦TGV玻璃基板先进封装》(2026年7月24日)
上海证券报·中国证券网:《蓝思科技携手英特尔 拓展TGV玻璃基板先进封装核心赛道》(2026年7月24日)
证券时报:《蓝思科技,牵手英特尔!聚焦玻璃通孔先进封装》(2026年7月25日)
中证金牛座:《蓝思科技牵手英特尔,聚焦玻璃通孔先进封装技术》(2026年7月24日)
The Information:《台积电正与景硕科技合作研发“类EMIB”先进封装技术》(2026年7月30日)
TrendForce(集邦科技):《台积电CoPoS技术路线及“类EMIB”合作细节》(2026年7月)
MoneyDJ理财网:《台積電攜手景碩推「類EMIB」先進封裝》(2026年7月31日)
工商时报:《Intel EMIB-T補的是台積電CoWoS產能缺口》(2026年7月22日)
揖斐电(Ibiden):《董事会决议通过2026-2028财年约5000亿日元资本投资计划,首阶段Gama工厂投资约2200亿日元》(2026年2月3日)
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