9 月 8 日，英特尔（Intel Corporation）获得一项名为 "IC PACKAGE WITH MICRO LEDS" 的美国授权专利，该专利是将半导体芯片至少部分嵌入玻璃基板内，玻璃基板内还嵌入一个贯穿玻璃通孔（TGV），其中TGV与半导体芯片电耦合，为Micro LED提供电源。该专利无需额外外接元件即可实现芯片工作状态可视化、定制化光效显示、甚至原位光电测试功能。

值得注意的是，该专利是先进封装与 Micro LED 的跨界融合，为 CPO、高密度算力封装提供光电异构集成方案，而非显示玻璃基面板路线，当前显示玻璃基工艺是用单面玻璃背板路线，驱动 IC 通过 COG 绑定在玻璃正面边缘，无需TGV通孔。

该发明旨在实现Micro LED与IC封装的深度集成，发明的核心思路是将Micro LED芯片预先嵌入式集成到IC封装的玻璃基板中，通过玻璃通孔（TGV）实现Micro LED与封装基板的电气互连，无需额外外接元件即可实现片上发光显示功能。

封装结构从上到下依次包括上层聚合物封装基板108、玻璃基板102、下层聚合物封装基板106。玻璃基板102作为核心承载层，内部嵌入半导体裸片104（集成Micro LED阵列）和玻璃通孔（TGV）130-140，玻璃材料具有优异的光学透明性、尺寸稳定性和低介电损耗，同时可为Micro LED提供良好的保护；

半导体裸片104：集成Micro LED阵列110、112、114，可实现红、绿、蓝三色发光，支持全彩显示效果，半嵌入或全嵌入到玻璃基板内部，背面露出用于散热和电连接；聚合物封装基板106、108：内置重布线层142、144，实现与外部主板的信号和供电互连，表面覆盖氮化硅（SiN）保护层118、124，提升环境耐受性。

Micro LED的供电路径为：主板供电→上层基板108的过孔146/148→TGV 138/140→Micro LED裸片104→实现发光，无需额外外接元件。

发明提供了两种Micro LED裸片嵌入方案，分为半嵌入和全嵌入，分别适用于不同的应用需求。

半嵌入：裸片部分嵌入玻璃，背面露出贴合氮化硅散热层，散热路径短，发光效率高，工艺难度低

全嵌入：裸片完全嵌入玻璃，四周被玻璃包覆，密封性好，可靠性高，整体厚度更薄

完整制造工艺流程（图4A-4G）以半嵌入方案为例，核心制造步骤如下：

1.在玻璃基板上用激光刻蚀 + 湿法刻蚀加工 Micro LED 嵌入凹槽和 TGV 孔

2.用 PVD + 电镀在 TGV 中填充铜，形成导电互连

3.将 Micro LED 裸片放入凹槽，回流焊或热压键合实现电极互连

4.用玻璃熔融键合或透明聚合物填充间隙，密封固定

5.表面减薄抛光，制备 RDL 重布线层和绝缘保护层

6.与上下聚合物封装基板键合，完成整体封装  

专利中的实施例对比如下：

从测试数据来看，本发明方案不仅完全消除了外接LED对主板空间的占用，还大幅提升了显示密度和可靠性，同时支持软件自定义灯效，可满足高端硬件的个性化定制需求。TGV 玻璃通孔为英特尔核心技术，该专利把 Micro LED 直接嵌入玻璃中介层内部，利用 TGV 垂直互连，验证硅芯片、Micro LED、TGV 玻璃三者共封装的结构可行性，也进一步论证玻璃基板的潜力。

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       原文标题 : 英特尔推出Micro LED玻璃基封装技术