◎文 | F.Lin. ◎编辑 | 小木

冲刺IPO的同时，青岛半导体设备“小巨人”还在大幅释放产能。

今年6月，中国证券监督管理委员会网上办事服务平台公告显示，青岛思锐智能科技股份有限公司（以下简称“思锐智能”）已完成辅导验收。

国泰海通出具的报告显示，双方于2025年2月签署辅导协议，共开展了五期辅导工作。

辅导报告显示，报告期内思锐智能尚未实现盈利。据披露，公司亏损原因主要有三：一是主营收入规模尚处于爬升期，规模效应未显现；二是产品技术门槛高，需持续高强度研发投入；三是以中国和芬兰两地双研发中心运营模式，境外人力及服务成本较高，叠加境内产能建设、人才引进及供应链国产化验证等前期投入较大。

国泰海通表示，经过对收入、利润、在手订单及行业前景等全面核查，思锐智能整体经营状况良好，具备足够的抗风险能力和持续经营能力，将督促其在招股说明书中就尚未盈利的原因及影响进行充分披露，并作出针对性风险提示。

紧接着，6月10日，国际半导体产业协会（SEMI）发布一则针对思锐智能董事长聂翔的专访，文中表示采访的时间是2026年初春。在采访中，聂翔透露，思锐智能半导体先进装备研发制造中心已落成投产，预计2026年达产后将大幅释放产能，“满产状态下，两大业务板块合计产能可达上百台，对应销售收入约30亿元规模。”

值得注意的是，思锐智能曾在2024年9月挂牌转让6.07%股权时披露过营收数据，公司2023年实现营业收入4.68亿元，净利润为-2.39亿元；2024年1-7月，公司实现营业收入2.15亿元，净利润-1.41亿元。

如果聂翔采访中披露的信息属实，很可能意味着，思锐智能在2026年迎来了爆发式增长。

根据辅导报告，虽然思锐智能第一大股东‌为中车青岛四方车辆研究所有限公司，持股比例约为‌19.48%‌，但未达到控股地位，报告中也明确确认了“无控股股东、无实际控制人”的股权结构状态。 

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思锐智能成立于2018年，是一家专注于半导体前道工艺设备——原子层沉积（ALD）和离子注入（IMP）的企业，产品广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、生物医学等领域。

前者是薄膜沉积的高端分支，后者是掺杂工艺的核心装备。这两个赛道，恰恰是中国半导体设备国产化版图上最薄弱的环节。

据头豹研究院数据，ALD设备市场长期被应用材料、东京电子等国际巨头垄断，离子注入设备国产化率不足5%。

思锐智能，选择了一条“并购+自研”并行的破局路径。

成立当年，思锐智能全资收购芬兰倍耐克公司。倍耐克被视为ALD技术的发源地之一，通过收购，思锐智能引入了ALD技术的成熟研发资源，随后推动技术在国内落地产业化。

目前，思锐智能ALD设备已进入欧洲、北美、日本和中国大陆及中国台湾地区知名厂商，并收获重复订单。

2021年，成立仅三年的思锐智能，启动高能离子注入机的自主研发。

离子注入机作为芯片制造中实现精确掺杂的核心设备，技术精度对芯片性能起着决定性作用，作为《国家集成电路产业发展推进纲要》要求重点发展的三种设备之一，其难度仅次于光刻机。

2023年，思锐智能实现全国首台8MeV高能离子注入机的研发和生产，获得国内头部客户验证，打破了欧美企业的长期垄断。

目前，思锐智能已经形成了“ALD+离子注入”双产品布局，成为国内少数同时实现两大前道核心装备自主可控与规模化量产的设备厂商。

产品端的突破，为思锐智能的产能释放提供了扎实支撑。

2025年6月27日，投资超12亿元建设的思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产。

今年年初，思锐智能高能离子注入机SRII-8M获得国内集成电路头部客户的订单并顺利搬入。同期，低能大束流离子注入机SRII-60收获行业头部企业的重复订单并成功交付。

随着思锐智能半导体先进装备研发制造中心今年实现满产，思锐智能的产能也将实现爆发式增长。

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细究来看，思锐智能产能释放的背后，是产业周期、国产替代、市场需求等多重因素推动。

一方面，思锐智能恰好踩中了国内半导体设备国产化的“黄金窗口期”。

中国是全球最大的半导体设备市场。华泰证券预测，国内半导体设备市场规模将从2025年的约479亿美元增长至2028年的880亿美元，年均复合增速22%。

同时，半导体设备国产替代率也在加速攀升。据Bernstein报告，中国半导体设备整体国产化率已从2024年的16%跃升至21%，2028年有望达到43%。

另一方面，AI对算力、存储的庞大需求，驱动半导体设备市场进入新一轮增长期。而思锐智能所处的ALD与IMP赛道，正是这一轮增长中的关键环节。

比如，ALD主要应用于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的第三代半导体制造中。

随着新能源汽车、光伏储能、5G/6G通信对碳化硅、氮化镓器件的需求爆发，ALD设备的需求正快速增长。根据SEMI数据，未来几年全球ALD市场复合增长率达到26.3%。

再比如，汽车电子化、智能化正在为半导体存储器打开新的增长空间。据Yole预测，2027年全球车用存储芯片市场规模将超140亿美元。与此同时，以MRAM为代表的新型存储器被业界视为关键突破口，这将是一个巨大的市场。

目前，思锐智能已完成高能、大束流、中束流及第三代半导体专用离子注入机的全系列机型布局，形成覆盖逻辑、存储、功率、CIS等全场景的产品矩阵。据官方介绍，产品已完成大量测试，有望在更多领域的客户端进行应用。

这一点从聂翔的采访中也能得到验证，思锐智能早期选择切入化合物半导体（如氮化镓）、新型显示（ 如Micro LED）等领域，站稳脚跟后逐步进入逻辑、存储等主流芯片制造领域，并与国内外头部客户展开合作。

“AI时代的到来，实际上减缓了半导体行业的周期波动，拉长了增长曲线。”在聂翔看来，AI对算力、存储的强劲需求，正在驱动半导体设备市场进入新一轮增长期。思锐智能所处的ALD与离子注入赛道，正是这轮增长中的关键环节。

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对于当前正处于从技术突破迈向市场规模化的关键阶段的思锐智能来说，还需要更多头部客户的市场验证。

一个值得注意的细节是，在2025年6月27日的思锐智能半导体先进装备研发制造中心投产仪式现场，两位大佬的现身同样吸引了诸多关注：

中国半导体产业领军人物张汝京，欧洲科学院院士、北京超弦存储器研究院执行院长赵超。

张汝京2022年从芯恩离职后，加入上海积塔半导体有限公司（简称“积塔半导体”），担任执行董事、积塔学院院长。

由赵超担任执行院长的北京超弦存储器研究院，专注先进DRAM制造技术研发，已与清华大学、北京大学等高校，以及国内外头部存储芯片企业合作。

据统计，2024年国内半导体设备厂商获得的验证机会较三年前增长4倍，其中70%的验证订单来自存储芯片企业。

就在7月13日，由清华大学教授魏少军担任董事长兼CEO、核心技术源自清华大学微电子所近20年积累的算力AI芯片初创企业东方算芯，发布了其首颗旗舰芯片DF1000。

DF1000采用 “软件定义+3D堆叠近存计算”的架构，通过3D混合键合技术将计算层与存储层垂直堆叠，将互连间距压缩至亚微米级别，被定位为 “全球首颗软件定义近存计算3D芯片”。

东方算芯发布会现场，北京超弦存储器研究院赵超带来了《3D 封装加 3D 制造，双轮驱动满足先进 AI 芯片的存储需求》主题分享。

对于新锐半导体设备企业来说，能够获得头部企业的验证机会至关重要，思锐智能背后的投资机构和人脉网络将发挥关键作用。

       原文标题 : 青岛半导体“小巨人”，大幅释放产能