维科网半导体报道,7月9日,长鑫科技披露《首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书》及《发行安排及初步询价公告》,正式启动科创板IPO发行程序。
根据公告,长鑫科技将于7月16日进行网上、网下申购,本次拟公开发行66.88亿股,占发行后总股本约10%;若超额配售选择权全额行使,发行规模将扩大至76.91亿股。
作为今年A股最受关注的半导体IPO之一,长鑫科技此次计划募资295亿元,有望成为2026年A股最大IPO,也是继中芯国际之后科创板第二大IPO。
此次启动发行,不仅意味着长鑫科技距离登陆资本市场进入最后冲刺阶段,更标志着国产DRAM产业迈入新的发展节点。
招股书显示,长鑫科技成立于2016年,是国内目前规模最大、技术最先进、产品布局最完整的DRAM研发设计制造一体化(IDM)企业,产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流存储产品,广泛应用于服务器、PC、智能手机、汽车电子及工业控制等领域。公司已成为中国第一、全球第四大DRAM厂商,也是中国大陆首家实现DRAM自主研发、设计和量产的企业。
伴随AI服务器建设、高性能计算和智能终端升级,全球DRAM行业自2025年下半年开始进入新一轮景气周期。长鑫科技也迎来了成立以来最好的经营阶段。
招股书显示,2023年至2025年,长鑫科技归母净利润分别为亏损163.40亿元、亏损71.45亿元和盈利18.75亿元,实现历史性扭亏;2026年上半年,长鑫科技预计营收达到1100亿以上,实现归母净利润约50亿元至57亿元,同比增长超过2200%,盈利能力进一步释放。
业绩快速改善背后,一方面来自DRAM价格持续上涨,另一方面则受益于公司产品结构优化、工艺升级以及规模效应释放。
不过,长鑫也在招股书中提示,DRAM行业属于典型强周期行业。本轮行情主要由AI算力需求驱动,如果未来AI基础设施投资放缓、全球主要厂商新增产能集中释放,行业供需关系可能再次发生变化,公司未来业绩存在波动风险。
此次IPO募集资金也几乎全部围绕先进制造能力展开。
根据招股书,长鑫募集资金将主要投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM技术升级项目以及前瞻技术研发项目,进一步推进先进工艺研发、产能升级及下一代产品布局。公司表示,希望借助上市平台,加快DDR5、LPDDR5/5X等产品迭代,并持续提升未来竞争力。
目前,全球DRAM市场长期由三星电子、SK海力士和美光三大厂商主导,中国虽然是全球最大的DRAM消费市场,但本土自给率仍然较低。招股书指出,长鑫科技已填补中国大陆DRAM产品长期空白,未来上市募集资金将进一步增强国内产业链供给能力,并带动EDA、设备、材料、封测及模组等上下游企业协同发展。
与此同时,AI时代也正在重塑全球存储产业格局。
随着大模型训练、推理服务器、高端智能终端持续增长,DRAM已从传统PC、手机存储器升级为AI算力系统的重要组成部分。行业机构普遍预计,未来几年AI服务器将成为DRAM需求增长最快的市场之一,这也是包括三星、SK海力士、美光以及长鑫科技在内全球主要厂商持续扩产的重要原因。
随着资本市场平台正式打开,长鑫将获得持续研发投入和先进产能建设所需资金支持,在国产存储自主可控持续推进、AI基础设施建设不断提速的大背景下,这家国产DRAM龙头也将迎来真正意义上的全球化竞争新阶段。
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