美光第三财季营收暴增346%刷新纪录, 存储供需紧张将持续至2027年

涨价潮席卷全产业链,这轮周期再也回不去旧逻辑。

文|开蓉蓉
6月24日,美光发布2026财年三季报:营收414.6亿美元,同比增346%,连续第五季刷新纪录;净利润282亿美元,同比增近14倍;毛利率84.9%,创行业历史新高,超越英伟达。全部核心指标碾压分析师预期。
公司CEO在业绩电话会中将内存定义为AI时代战略资产,判断行业供需紧缺态势至少延续至2027年后。多家头部投行密集发布报告指出,DRAM与NAND已进入全面紧平衡,缺货周期覆盖2027全年,部分机构认为缺口将拖至2028年才能逐步缓解。市场体感更为直接,SSD终端售价持续攀升,工业级MLC闪存有价无市。
回看过去十几年,存储行业跟着手机和PC出货量起起伏伏,三年一个轮回,暴涨之后必接暴跌,周期之强几成铁律。但到了2026年,这条旧逻辑已被彻底掀翻。AI大模型从生成式问答进化到具备自主规划能力的智能体,对内存的需求从线性增长变为指数级跃升。再加上海外存储寡头主动控产、老旧MLC产线永久关停、HBM对晶圆产能的巨大消耗,三重供给枷锁同时收紧,存储不再是随行就市的普通配件,而是升级为AI算力的核心基础设施,整个产业的盈利模式、估值体系和竞争规则都在被重新书写。

需求端:AI驱动内存需求爆发,长协模式弱化周期波动
从需求侧来看,真正的增量引擎来自AI服务器内部的变化。传统大模型每次推理占用的内存还算有限,但自主智能体需要维持超长上下文并反复进行推理循环,内存消耗呈爆发式增长。根据德意志银行报告,搭载新一代Vera CPU的英伟达机柜,单机柜DRAM容量可达400TB,是传统GPU机架的五到十倍。与此同时,AI服务器的CPU与GPU配比也在下移,单台设备的内存密度被显著推高。即便存储采购成本持续上涨,云厂商之间的算力军备竞赛也未见降温,伯恩斯坦在6月22日的行业报告中测算,存储涨价将推高数据中心整体资本开支约三成。
更关键的变化发生在买卖双方的契约关系上。过去行业普遍采用季度短期订单,市场一有风吹草动,终端客户就可以直接砍单,价格很容易踩踏式下跌。
但现在完全不同了,国泰海通的跟踪报告显示,南亚科在今年股东会上披露,头部云厂商已主动洽谈两到三年的长期协议来锁定产能。美光在季报电话会中进一步披露,公司已落地16份三到五年期的"照付不议"合同,锁定了千亿级别的保底收入,并提前收到180亿美元的现金保证金。这种长协模式极大地平滑了周期波动,让存储厂商的现金流有了前所未有的稳定性。据WSTS和TrendForce的统计,今年全球存储芯片销售额同比增长250%,产值规模达8039亿美元,TrendForce随后更上调预测至8893亿美元,并预计2027年将突破1.28万亿美元。
产能的争夺在各个细分赛道同时上演。国泰海通指出,MLC闪存因三星关停2D NAND工厂、铠侠官宣2029年前全面淘汰老旧产线,全球产能今年锐减超过四成,6月初32Gb和64Gb现货单月涨幅即达24%至30.8%,年内最高涨幅接近280%,工业、医疗企业被迫提前大量囤货。消费电子端则完全被挤到了后排,原厂优先保障AI客户,手机和PC分到的产能越来越少。摩根士丹利预测,今年全球PC和智能手机出货量将分别下滑10%和13%,终端品牌只能通过涨价来转嫁成本。与此同时,车载和人形机器人也在开辟新的战场。美光在业绩沟通会上提到,L2+级别汽车的存储搭载量已是普通车辆的几倍,而人形机器人的内存需求更是达到了L2自动驾驶车辆的十倍。多重需求交织叠加,存储的增长已从短期脉冲转变为长期刚性,彻底告别了消费电子周期那套旧剧本。

供给端:三重硬约束并行,短期缺口无解
再看供给侧,情况同样不容乐观。全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家把持,合计份额超过95%,加上铠侠构成NAND领域的四大寡头,整个行业早已进入利润优先的经营阶段。伯恩斯坦在其全球存储报告中测算,同等晶圆面积下,普通DRAM创造的营收和毛利是HBM的两到三倍,而生产同样容量的HBM反而要消耗三到四倍的晶圆。于是三大原厂纷纷调整投片结构,削减HBM和低端消费存储的产能,把更多资源倾斜给服务器通用DRAM。国泰海通的跟踪报告提到,这一策略的直接后果是英伟达Rubin机柜的SOCAM内存模组被迫减配,LPDDR5X的供给紧张程度可见一斑。
MLC闪存这边则是另一场供给崩塌。国泰海通研报分析指出,海外原厂统一关停并改造2D闪存老旧产线,转用于AI先进制程,同时三星、美光对核心制造工艺严防死守,新厂商根本建不起产线来填补缺口。工业专用存储因此陷入持续缺货,短期内完全看不到新增产能落地的希望。
更糟糕的是,即便现在立刻扩产,远水也解不了近渴。一座存储晶圆厂从动工到满产至少需要一年半到两年,HBM配套的先进封装产线更要三年以上。经历上一轮行业巨亏后,海外原厂在扩产上格外保守。德意志银行表示,即使把未来五年所有规划中的新建晶圆产能都算进去,2026到2027年行业仍然存在巨大的供需缺口,2027年达到峰值,直到2028年产能集中释放后行情才有可能逐步缓和。国泰海通的统计数据显示,价格已经给出了最直接的验证:今年一季度DRAM合约价环比上涨93%至98%,二季度预计再涨58%到63%;NAND一季度合约涨幅在85%到90%之间,二季度预期涨逾七成。六月中旬,DDR4现货环比涨幅达10.6%至40.2%,DDR5涨幅也在22%左右,涨势丝毫未见放缓。

产业链利润重构:原厂通吃,上下游分化加剧
这一轮景气的最大赢家,无疑是中游的存储晶圆原厂。根据伯恩斯坦2026年的盈利测算报告,SK海力士明年的营业利润率有望达到84.8%,三星半导体业务毛利率逼近90%,美光也能长期维持在80%以上。行业估值逻辑已经被彻底改写,长协带来的稳定现金流让存储厂商摆脱了周期股的标签,市场开始用AI基础设施的框架来重新定价。伯恩斯坦给出了三星和SK海力士6.2倍的远期市盈率,美光更是达到7.7倍,对应股价上行空间分别为26%、20%和15%,唯独没有HBM业务的铠侠被维持低配评级。国泰海通的跟踪报告显示,从中国台湾产业链也能清楚看到这种分化:南亚科、华邦电、旺宏五月营收同比增幅均超过三倍,而下游的存储封测厂商同期营收只增长了23.9%。
上游设备和材料环节,增长弹性相对有限。扩产确实拉动了刻蚀、薄膜、检测设备的需求,但高端领域仍被海外企业垄断,交付周期也在拉长,国内厂商大多只能承接配套订单,毛利率提升空间不大,仅有HBM配套的TSV和混合键合设备算是为数不多的高景气细分赛道。而下游的终端厂商则成了被挤压的对象,PC、手机、服务器ODM企业面对原厂几乎没有议价权,采购成本大幅攀升,但终端市场竞争激烈,产品涨价空间十分有限,利润持续失血。摩根士丹利的宏观报告显示,存储涨价已经推动美国电子零部件PPI同比上涨了30%,对整体通胀产生了小幅拉动。

中长期风险不可忽视
在景气高涨的同时,几大中长期风险也需要保持清醒。伯恩斯坦在行业分析中提示,AI资本开支并非没有上限,HBM价格持续走高正在推升GPU整机成本,如果云厂商的算力部署节奏因此放缓,存储需求就会面临下行压力。
产能方面,2027年末到2028年全球新建晶圆厂将集中投产,届时供给大幅放量,供需平衡可能被骤然打破,营收和毛利率双双回落几乎是必然。
技术替代的力量也在悄悄积累,KV Cache压缩、内存分层、用NAND替代DRAM等降本方案正在研发中,AMD已收购相关技术企业,长期来看单位内存需求可能被压缩,新一代存储技术成熟后将对传统DRAM和NAND市场形成冲击。
此外,地缘政治和宏观经济的扰动同样不容忽视。高端设备和原材料高度依赖海外供应链,任何冲突都可能干扰扩产进度,而全球宏观走弱也会持续压制消费电子端的存储需求,带来阶段性的价格回调。

2027年前供需持续紧张,传统周期逻辑彻底失效
2026年开启的这轮存储长景气,与过往任何一次都不同。它不再是消费电子周期驱动的潮汐涨落,而是AI产业需求主导的结构性变革。核心驱动力来自Agentic AI带来的持续性内存增量,叠加寡头控产、MLC产能不可逆收缩、晶圆建厂周期漫长这三重供给约束。综合美光季报及多家投行机构的测算,2027年底之前行业供需都将维持紧张态势,DRAM、HBM和工业MLC闪存是三大最景气的细分赛道。
产业链的利益分配格局也已彻底重塑:利润高度向存储晶圆原厂集中,上游设备弹性不足,下游终端持续承压。二级市场上多空博弈正在加剧,而2027到2028年新增产能的投放节奏,将是决定景气拐点的核心变量。当然,AI投资的节奏变化、新技术的迭代速度、地缘供应链的扰动,都可能随时改变中长期的供需格局。但无论如何,存储已经脱离了普通电子元器件的定位,成为AI算力不可或缺的核心基础设施,传统周期逻辑已然失效,一个全新的产业竞争与估值时代正在成型。
数据来源:
WSTS、TrendForce 2026 全球存储产值及供需预测数据
研报来源:
国泰海通证券《海外存储行业 2026 年 6 月跟踪》,2026.06.18
伯恩斯坦《Global Memory:Memory becoming a burden of AI too》,2026.06.22
德意志银行《Updating our DRAM D-S model;Industry imbalance set to persist》,2026.06.16
摩根士丹利《Chipflation -- Implications of a Memory Crisis》,2026.06.15
花旗《How Much Gas is Left in this Rally》,2026.06.23
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THE END
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原文标题 : 美光第三财季营收暴增346%刷新纪录,存储供需紧张将持续至2027年


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