现实差距多大？

据了解，EUV设备包含了超10万个零部件，覆盖了全球超5000家供应商，并且还需要成百上千的专业工程师对其进行调试维护。这其中，光源发射器是EUV光刻的第一步。

2025年，中国EUV研发团队在高度保密的环境中取得了关键突破。首台EUV光刻机原型机已经成功运行，这台占据整个洁净厂房的设备成功激发了13.5纳米极紫外光。这一突破打破了西方技术垄断，但距离商业化应用仍有巨大差距。

中国团队选择了一条务实跟随策略。不同于ASML从零开始的技术路线，消息人士透露，研发团队包含多位经验丰富的光刻技术专家，项目通过研究二手ASML设备零件，复刻其激光等离子体（LPP）技术路线。

在18个月研发周期中，该项目已申请8项核心专利，涉及光源稳定性和光学系统优化等关键领域。

成功激发极紫外光只是EUV长征的第一关，中国原型机仍面临多重技术壁垒。光源系统虽成功激发符合标准的极紫外光，但功率稳定性尚未达到量产要求。

以ASML设备为例，需要用高功率激光轰击液态锡滴，每秒钟要精准击中5万个直径只有30微米的锡滴，其运动速度高达80m/s。

光学精度是另一大挑战。德国蔡司为ASML的EUV光刻机提供了整套光学成像设备，每面镜子要镀40到100层纳米级薄膜，表面平整度要达到原子级别。在ASML最先进的高NA EUV光刻投影物镜系统中，口径1.2m的反射镜表面需要加工到面形均方根误差小于0.02纳米，相当于在中国国土面积内仅有人类头发丝直径大小的高度起伏。

光学精度影响的是打印晶体管线宽的精度。工欲善其事，必先利其器，而中国除了要打磨精度。还要解决规模化量产的问题。

从全球经验来看，EUV光刻机从原型到量产需要漫长过程。ASML从第一台可制造芯片的EUV光刻机（2006年）到可大规模制造的NXE:3400B（2017年）用了11年时间。

打破“卡脖子”困局

若按照ASML的发展时间表，在进展顺利的情况下，2030年中国也许能实现原型机的初步产品制造，距离大规模的商业化进展还需要多年的设备优化。

但我们相信，对于勤奋聪明的中国人，一旦造出原型机后，优化迭代的速度将比散漫的欧洲人更快，也许不用十年，国内甚至全球芯片厂家就用上国产的EUV光刻机！

退一万步来讲，即使现在没有EUV光刻机，我们也没有被“卡”死。

“西方以为只要卡住EUV，就能永远领先。但他们忽略了一点：中国不需要立刻造出EUV，只要能在成熟制程上实现完全自主，就足以影响全球半导体格局。”ASML首席执行官富凯点破了芯片竞赛的本质。

尽管现在没有EUV光刻机，但在芯片成熟制程领域，中国已取得显著进展。上海微电子65纳米光刻机已交付客户，28纳米浸没式样机通过验收。更值得关注的是，中芯国际用DUV设备通过三次曝光实现7纳米芯片量产，良率突破80%。

在第三代半导体领域，中国也在积极布局。碳化硅、氮化镓等专用光刻机已形成竞争力，为中国半导体产业提供了差异化发展路径。

技术突破的核心价值，在于打破“卡脖子”困局的战略主动性。从“无法测”到“精准测”，从“依赖进口”到“替代超越”，这些突破不仅填补了技术空白，更构建起了产业安全的“第一道防线”。

正如芯片上的晶体管不断缩小却更强悍，中国半导体产业也正在砥砺中凝聚突破的力量。