近日，据韩国权威媒体Sedaily报道，三星电子已为其平泽半导体生产基地的全新P5晶圆厂集群，完成了第一阶段（PH1）的关键“军备”采购，一口气订购了超过70台光刻机。这批价值不菲的核心设备正陆续就位，只为确保这座尖端工厂能在2027年准时启用。
这被业内视为是三星在下一代存储技术竞争中的一次关键性战略落子。其目标直指2027年量产1c纳米制程的DRAM，全面覆盖从通用内存到炙手可热的高带宽内存（HBM）的全线产品。
在这份豪华设备清单中，最引人瞩目的无疑是来自光刻机霸主ASML的极紫外（EUV）曝光系统，数量约20台。除此之外，订单中也包含了日本佳能等供应商的设备。尽管具体金额未被披露，但行业普遍估算，仅这20台EUV光刻机的总价值就可能高达数十亿美元，堪称“超级投资”。
随着DRAM制程迈向1c纳米（即第六代10纳米级工艺），电路图案更加细微，只有波长更短的EUV光才能实现精确“雕刻”。三星此次大规模采购EUV，核心目的就是为1c纳米DRAM的量产，打下高良率、高稳定性的坚实基础。
平泽P5工厂的PH1阶段，将是一座专注于1c纳米制程DRAM的纯血工厂。从这里产出的晶圆，将同时流向两个至关重要的市场。
一个是支撑所有电子设备的通用DDR5/LPDDR5内存市场，这是三星维持其存储市场份额基本盘的根本。
另一个，则是直接决定AI算力上限的高带宽内存（HBM）。
1c纳米正是三星此前已宣布量产的HBM4所采用的底层技术。可以说，P5 PH1的产能，直接关联着三星能否在AI芯片市场中，夺回HBM主导权。其良率与产能爬坡速度，将深刻影响英伟达、AMD等AI巨头的未来产品蓝图。
据产业链消息，这批天价光刻机预计将在2027年第二季度开始搬入平泽P5工厂的洁净室。这与全球AI算力需求的预期爆发期高度重合。行业解读认为，三星正是为了抢占英伟达下一代AI加速器平台（代号“Rubin”）等产品的庞大需求窗口，才如此激进地锁定设备、规划产能。
目前，SK海力士凭借在HBM3E时代的领先优势，在AI内存市场先拔头筹，并规划了激进的1c产能扩张。美光也正全力推进其1-gamma（相当于1c）制程。三星此次的超级订单，是一次强有力的宣示，它将以最大的资本开支和最强的制造实力，在1c纳米这个关键节点上，发起全面反击。
最终的胜利，往往属于那些在最关键赛点上，敢于并能够投入“决胜性力量”的玩家。
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