在国内硅光赛道普遍扎堆SOI路线的行业背景下，国科光芯走出了一条“激光雷达先行打磨工艺、数通业务接力承接AI红利”的独特路径，也是国内少数打通8英寸氮化硅量产工艺的芯片厂商。

两年多轮融资，押注氮化硅路线

根据公开信息，国科光芯成立于2019年4月，法定代表人刘敬伟16.8%的持股比例为第一大股东及实际控制人，总经理李铮持股14.1%，其余股东包括海宁毅晟半导体、北京奕盛科技等20余家机构与自然人。

据了解，董事长刘敬伟出身中科院半导体所，拥有超过20年硅光技术研发与产业经验，曾任职京东方集团，是国内最早布局氮化硅硅光路线的技术专家之一；

总经理李铮与核心研发骨干均来自海内外头部光芯片、光模块企业，核心芯片团队平均从业年限超20年。

截至目前，国科光芯团队规模约190人，研发人员占比超60%，累计申请专利超280项，其中获国际授权专利超90项。

发展轨迹上，国科光芯早期以消费类激光雷达芯片为切入点，2023年打通8英寸氮化硅量产工艺后快速切入高速数通赛道，2024年底成立全资子公司星汉光子承载数通业务，2025年获评国家级专精特新“小巨人”企业。

融资方面，国科光芯本轮完成的超亿元B+轮融资，由四川省科创投资集团领投，杭州凯泰资本、山东省科创集团等机构跟投。

据透露，本轮募集资金将主要投向以下三大方向：

单波400Gbps硅光芯片、1.6T/3.2T硅光探测器芯片、3.2T/6.4TNPO/CPO及OIO芯粒等下一代产品研发；成都星汉光子数通基地的产能扩充；以及海外交付中心的规划建设。

从100万台激光雷达，到月百万级芯片产能

从业务布局看，国科光芯形成高速数通光芯片、激光雷达、光传感三大业务矩阵，其中数通业务是当前增长核心。

产能端，其400G/800G/1.6TDR/FR系列硅光Tx-PIC芯片已实现规模化量产，在多家头部云厂商与光模块客户完成验证并批量出货；成都基地扩产后，目标指向月百万级芯片的交付能力。

传感端，国科光芯消费类激光雷达2023年出货量突破100万台，跻身全球消费类激光雷达TOP3，也为其工艺良率控制与规模化制造能力提供了先期验证。

技术路线层面，国内硅光厂商多数集中于传统SOI硅光路线，国科光芯则锚定氮化硅差异化赛道。

相比主流SOI材料，氮化硅具备更低传输损耗、更宽光谱范围、更高光功率承载能力，更适配相干光通信、高功率激光雷达等场景。

国科光芯是国内首个实现8英寸低损耗氮化硅硅光量产的企业，工艺良率超95%，传输损耗达0.1dB/cm级别。

同时布局TFLN/SiN异质集成技术，将铌酸锂调制器的高带宽特性与氮化硅低损耗优势结合，其3.2T硅光芯片调制器带宽可达85GHz。

本轮融资领投方四川省科创投资集团公开表示，光互连是AI算力基础设施的核心瓶颈，硅光芯片则是光互连的技术制高点，国科光芯团队深耕硅光领域超过15年，400G/800G/1.6T产品的批量出货验证了其技术领先性与工程化能力。

小结

从产业格局看，当前AI算力扩张推动光模块向1.6T、3.2T快速代际跃迁，硅光渗透率正迎来历史性拐点，国科光芯凭借氮化硅路线的性能差异化，在高功率、长距离、相干传输场景形成了错位竞争优势。

整体而言，本轮融资既是资本市场对国科光芯氮化硅技术路线与量产能力的认可，也意味着其正式迈入规模化扩张的关键阶段。

一边是AI光互连的行业红利窗口加速打开，一边是SOI路线头部厂商已占据先发市场优势，国科光芯需要在产能爬坡、头部客户拓展与下一代技术迭代上持续提速，才能将差异化的技术优势真正转化为可持续的市场份额优势。