在英伟达公开的共封装光学方案中,光收发器与交换芯片进入同一封装,电信号路径由英寸级缩短至毫米级。这段距离的变化,关系到信号损耗与互连功耗,也让光学器件与芯片制造的联系更加紧密。
沿着光引擎向上游追溯,材料端也出现了新的进展。沪硅产业常务副总裁李炜近期在接受媒体采访时介绍,公司硅光SOI晶圆预计2027年进入大批量出货期。目前,相关300mm产品已进入客户验证和小批量生产阶段。光互连的新需求,正在与这家企业长期积累的SOI能力相遇。
从光模块到芯片身边
硅光与CPO经常同时出现,但二者并不是同一个概念。硅光关注如何在硅基平台上制造、集成光子器件,CPO关注如何将光引擎与电子芯片安排在同一封装中。可插拔光模块同样能够采用硅光芯片,因此,硅光的商业增长不必等待CPO全面普及。
LightCounting在2026年5月发布的研究中预计,按销售额计算,采用硅光调制器的光收发器今年将首次占据整体市场的一半以上。在更紧密的光电集成架构逐步推进的同时,现有光收发器市场已经在扩大硅光的应用规模。
9月21日,在国际RF-SOI论坛上,李炜博士谈到了这条技术路线的制造价值。通过将波导、调制器以及光电探测器等集成到光子芯片,硅光能够减少分立器件与复杂的光学对准,再结合晶圆制造与晶圆级测试,推动生产走向更高的可重复性。

这一思路已有成熟平台作为支撑。imec公开的iSiPP200硅光平台同时面向原型开发与批量制造,提供多类调制器、探测器以及光耦合结构。光学功能逐步进入标准化的晶圆制造流程,也就将相应的要求传递给了承载器件的材料。
供应端的商业动作同样值得关注。Soitec在9月2日将2027财年Photonics-SOI收入预期上调至上一财年的2.5至3倍,并披露正在与多家客户签订多年期产能预留协议。部分客户已经开始为未来的材料供应提前作出安排。
这些变化为理解沪硅产业的机会提供了背景,但行业增长如何落实到一家材料企业,仍要看具体产品能否进入客户工艺,以及能否持续交付。
一层薄硅背后的制造积累
SOI即绝缘体上硅,其典型结构是在顶层硅与支撑硅之间设置埋氧层。在硅光应用中,顶层硅用于形成波导等结构。以imec的iSiPP200平台为例,其基础材料采用220纳米顶层硅与2000纳米埋氧层的SOI晶圆。材料不只是承载器件的底板,层结构本身就是器件设计的基础。
制造这样的衬底,需要精确控制薄层结构。Soitec的Smart Cut技术通过氢离子注入与键合,将超薄单晶层从一个衬底转移到另一个衬底;注入能量用于控制转移层厚度,层厚均匀性以及键合界面质量也是关键要求。材料供应商交付的,因而不只是一片符合尺寸要求的硅片,还包括对这些细微结构的制造控制能力。
沪硅产业与Soitec的合作,需要放在这一制造背景下理解。沪硅产业是中国大陆唯一获得Soitec相关SOI技术授权的企业。双方持续十余年的产业合作,涉及SOI产品的制造与商业授权,为相关业务的长期发展提供了基础。
具体材料能否适配客户,还需要研发与工程化工作的持续投入。在此次论坛上,李炜博士介绍了沪硅产业从200mm向300mm SOI延伸的历程,以及围绕射频、功率、逻辑、硅光和MEMS展开的产品布局。不同应用有各自的材料要求,也推动企业不断拓展工艺与产品能力。

公司8月披露的半年度行动方案评估报告,给出了更具体的产业化进展。面向射频、高压以及硅光应用的300mm SOI核心产品已完成关键技术研发,部分产品进入初期量产,公司仍在继续优化性能。技术积累正在通过产品开发与客户导入,逐步转化为实际业务。
产能之后,还有客户的生产计划
当产品从验证走向批量使用,客户评价材料的尺度也在变化。李炜博士近期谈到,随着高速光模块发展,客户对300mm硅光SOI的关注,正更多延伸到稳定供应与批次一致性。对需要安排连续生产的客户而言,材料规格之外,还要考虑后续每一批产品能否保持稳定。
沪硅产业已有的平台产能,为后续交付提供了基础。根据公司公开披露,新傲芯翼已建成约30万片/年的300mm SOI试验线;按照近期公布的计划,相关产能预计在2026年底达到约40万片/年。这对应的是300mm SOI整体平台,并非硅光产品的实际出货量。
产品结构如何调整,比单独观察扩产数字更值得关注。李炜博士表示,公司将结合市场需求与客户推进情况,向硅光产品灵活调配产能,并围绕不同客户的设计需求开展定制化材料开发。这意味着,客户导入、材料开发以及生产资源配置,需要保持衔接。
从这一进程看,沪硅产业正在推进的,不只是增加一种面向AI的材料产品,而是将既有SOI平台接入新的客户制造体系。当光引擎越来越靠近芯片,材料企业也需要更深入地参与下游制造。对于沪硅产业,下一阶段的进展,将更具体地体现在产品认证、连续采购以及批量供货中。
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