AI算力、数据中心和智能终端出货量持续增长，正推动全球半导体行业景气度步入上行周期，直接带动晶圆厂资本开支规模与稼动率维持在高位。在此背景下，半导体材料因具备消耗属性与复购特性，成为晶圆产能落地后持续受益的细分板块。更进一步来看，在先进逻辑芯片、高带宽内存（HBM）、3D NAND等高复杂度工艺演进过程中，部分核心材料品类的增长并非简单跟随晶圆片数提升，而是呈现出单片用量上升、品类需求增加、产品价格抬升的复合增长效应，也就是行业内所说的“工艺通胀”，因此在行业景气上行阶段，这类产业链环节往往具备更强的增长弹性与更确定的业绩落地性。除此之外，当前晶圆厂大规模扩产叠加全球供应链安全价值重估、对日材料替代预期升温，下游晶圆厂对本土半导体材料的导入意愿明显增强，多款材料的验证进度与国产化率提升正在加速，半导体材料板块当前正同时受益于行业景气上行、先进工艺通胀、市场份额提升与国产替代四大增长驱动。

半导体材料的核心品类已经呈现出先进工艺需求的“通胀”属性，将深度受益于本轮行业景气上行。首先看CMP抛光材料：当逻辑芯片制程从250nm缩小至7nm时，所需抛光步骤增加至30次，抛光液的种类也从5种增长至20余种；而存储芯片从2D NAND迭代至3D NAND，所需CMP步骤几乎翻倍。靶材同样是典型的“通胀型”耗材：当3D NAND从128层升级至232层以上，单片晶圆的靶材消耗量提升超过40%，单颗HBM芯片的铜靶用量更是达到传统芯片的3倍以上。光刻胶方面，7nm及以下制程采用的多重曝光工艺，使得单位晶圆的光刻胶消耗量显著提升。刻蚀液方面，制程从65nm演进至7nm，所需刻蚀步骤激增超过300%。清洗液方面，制程从80-60nm升级至20-10nm，所需清洗步骤从100步增长至200步以上。

因此，先进逻辑制程落地、3D NAND工艺迭代、HBM与先进封装发展，不仅带动了半导体材料用量提升，更在CMP抛光材料、靶材、光刻胶、刻蚀液、清洗液等环节形成了规格升级叠加价格抬升的复合工艺通胀，相关材料将展现出远超行业平均水平的增长弹性。

半导体材料的国产替代进程正从长期逻辑逐步走向加速兑现阶段。当前，我国半导体材料整体国产化率仅为15%，高端领域仍高度依赖海外进口。其中，高端光刻胶的国产化落地需求最为迫切：全球市场被日本JSR、TOK等五家企业垄断，合计占据约95%的市场份额；我国目前KrF光刻胶的国产化率仅约3%，ArF光刻胶国产化率不足1%，EUV光刻胶几乎完全依赖进口。若高端光刻胶被纳入出口管制，国内供应链的中断风险将急剧上升，这也为国内光刻胶产业链创造了明确的替代窗口。在湿电子化学品领域，高端刻蚀液市场目前仍高度集中于海外厂商，叠加上游含氟电子特气供给受限、出口管控趋严，国内具备高纯刻蚀液量产能力的企业有望迎来下游导入加速阶段。在CMP材料与靶材领域，政策支持、下游晶圆厂扩产、供应链安全价值重估，都在提升本土晶圆厂对国产材料的导入意愿。近期中国对钨实施出口管制后，全球六氟化钨供应链趋于紧张，日本钨靶龙头企业的出货能力受限，进一步为国内高纯靶材企业打开了市场份额提升的窗口。

       原文标题 : 行业报告 | 电子行业半导体材料：景气上行叠加工艺通胀 国产替代开启成长新篇