N2工艺是台积电首款采用纳米片全环绕栅极晶体管技术的节点，彻底告别了FinFET晶体管架构。这一变革带来了显著性能提升，相较于N3E工艺，N2在同等功耗下性能提升10%-15%，同等性能下功耗降低25%-30%，晶体管密度提升15%。

针对纯逻辑电路设计的芯片，其晶体管密度较N3E工艺的提升幅度高达20%。这一数据凸显了台积电在制程微缩方面的技术实力，也为下一代高性能计算芯片奠定了坚实基础。

技术创新从来不是孤立的突破，而是长期积累的质变。台积电在纳米片晶体管技术上的成功，得益于其数十年来在半导体制造领域持续不断的研发投入。

产能布局方面，台积电已展开大规模建厂行动，计划在新竹、台中与高雄等地新建三座2纳米制程厂区。现有资料显示，高雄厂区目前月产能约1万片，第二座厂房也已进入装机阶段。

市场对2纳米工艺的需求异常强劲。包括苹果、英伟达、高通在内的客户已提前预订了大部分2纳米的初期产能，产能已经排到了2026年年底。AMD更是宣布代号为Venice的第六代EPYC处理器将采用台积电2nm制程，并意外抢在苹果之前首发该技术。

2纳米量产不仅是一场技术革新，更是整个半导体产业格局的重塑。台积电此番突破，使得竞争对手三星和英特尔面临更大压力。

三星虽已于12月19日正式推出了首款采用2纳米制程工艺的SoC“Exynos 2600”，但据Counterpoint Research最新数据，2025年第三季度，台积电拿下了市场72%的份额，而三星的市场份额仅有7%，略高于中芯国际的5%。这一差距在2nm时代可能进一步扩大。

另一方面，英特尔虽已完成18A工艺的试生产工作，但被曝良率过低，量产时间遥遥无期。从目前的进度来看，台积电在2nm制程上的领先地位在短期内仍将保持。

半导体产业从来都是“逆水行舟，不进则退”。台积电的2nm量产成果，将迫使竞争对手加快创新步伐，最终推动整个行业的技术进步。