“争气芯”，撑起“两弹一星”

今天，当我们谈论7纳米、5纳米制程时，或许难以想象，六十多年前的中国，连制造一颗可靠的晶体管都步履维艰。吴德馨的学术生涯，正是从这片荒原上开始的。

1961年，她从清华大学无线电电子学系半导体专业毕业，这是新中国培养的首批半导体专业人才。走出清华园，她面对的并非坦途，而是西方严密的技术封锁和国防建设的急迫需求。

当时，为“两弹一星”研制配套的计算机，其核心——高速开关晶体管，成为卡住脖子的关键环节。没有它，一切计算都无从谈起。

年轻的吴德馨临危受命，带领团队在简陋的条件下，成功研制出平面型高速开关晶体管。它直接应用在了为我国第一颗氢弹研制的“109丙”型计算机上。可以说，吴德馨和同事们亲手“凿”出的这道微光，照亮了中国尖端国防工程前行的道路，那是真正意义上的“争气芯”。

“工艺大师”

解决了“有无”问题后，一个更庞大、更复杂的难题横亘在面前：如何让集成电路从实验室的“样品”，变成稳定、可靠的工业化“产品”？

上世纪七八十年代，我国集成电路产业成品率低、性能不稳，与国外差距巨大。吴德馨再次成为破局的关键人物。

她将目光聚焦在决定芯片性能和良率的命脉——工艺上。她带领团队在国内率先成功研制出4K、16K静态随机存储器，特别是攻克了1K、4K、16K动态随机存储器（DRRAM）的工艺技术。

她创造性提出的双层多晶硅结构、差值氧化等关键技术，就像为不稳定的产线安装了“稳定器”，大幅提高了芯片的成品率和可靠性，为我国大规模集成电路实现工业化量产，扫清了最关键的技术障碍。

业内人都深知，芯片制造是细节决定成败的艺术。吴德馨便是这种极致严谨的化身。她独创的检测腐蚀接触孔质量的“露点法”，精度要求以微米计，差一丝便前功尽弃。正是这种对每一道工艺、每一个参数的“死磕”精神，为中国芯片制造埋下了严谨求实的基因。

此后，从3微米到0.8微米CMOS工艺的成套技术开发，再到前瞻性布局化合物半导体、光通信器件，她始终站在微细加工技术的最前沿，为中国芯的每一次工艺迭代，铺下了第一块坚实的跳板。

她的目光，永远望向未来

真正的战略科学家，不仅解决今天的问题，更构建明天的能力。1986年，吴德馨调任中国科学院微电子中心（后发展为微电子研究所），她的角色从一线攻坚的科学家，转变为国家战略科技力量的搭建者与领军者。

面对当时科研与产业脱节的困境，她以非凡的魄力，重组研究体系，强化了从器件物理、工艺开发到集成电路设计的完整创新链。

她领导的微电子所，成为了名符其实的“国家队”主力，不仅是关键技术攻关的阵地，更是产学研协同的枢纽，孵化了诸多技术成果流向产业。

作为第九届、第十届全国人大常委会委员，她多次为国家集成电路产业规划建言，其声音深刻影响了相关政策的制定，持续呼吁自主创新与产业安全。

桃李不言，下自成蹊。她为行业培养和影响了一大批技术骨干与领军人才，如今已遍布产业界与学术界，成为支撑中国半导体发展的中坚力量。她用自己的言传身教，将那份“板凳甘坐十年冷”的坚守与“国之所需，我之所向”的担当，传递给了下一代芯片人。

“功成不必在我，功成必定有我。”吴德馨院士用她九十载的人生，完美诠释了这种境界。从为“两弹一星”打造“中国芯”，到为中国集成电路产业夯实地基，她的一生，就是一部沉静而壮阔的中国半导体突围史。

在芯片成为大国博弈焦点的今天，我们缅怀吴德馨院士，她为之奋斗终生的“中国芯”，唯有传承其志，方能愈擦愈亮，历久弥新。国士无双，精神永存；芯火相传，生生不息。