三星电子宣布交付全球首批12层48GB HBM4E样品
三星正与SK海力士、美光科技等厂商竞争下一代HBM市场
编译|沛林
5月29日,三星电子宣布,已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。继今年2月率先实现HBM4量产后,三星再次推进下一代高带宽内存(HBM)产品布局,瞄准快速增长的AI基础设施市场。

HBM4E样品图,图片来源:三星官网
根据三星披露的信息,HBM4E采用1c(10纳米级第六代)DRAM与三星4纳米逻辑芯片组合方案,支持每引脚14Gbps至16Gbps传输速度,较上一代HBM4提升超过20%。单堆栈带宽达到3.6TB/s,可进一步提升大语言模型(LLM)和下一代AI系统的计算性能。
容量方面,12层HBM4E单颗容量达到48GB,较上一代产品提升超过30%。三星同时规划推出32GB(8层)和64GB(16层)版本,以满足不同AI算力平台需求。
在能效方面,HBM4E采用低功耗设计和封装优化技术,较上一代产品能源效率提升16%,热阻降低超过14%,旨在缓解高强度AI计算场景下的数据中心散热压力。
三星表示,HBM4E基于已经量产的HBM4技术平台开发。此前,HBM4已于今年2月开始向客户供货,并在系统级封装(SiP)测试中实现11.7Gbps传输速度。由于两代产品采用相同的1c DRAM和4纳米逻辑芯片组合,市场预计HBM4E向量产过渡速度将明显加快。
三星电子存储器事业部开发副总裁黄相俊表示,公司已完成HBM4量产并启动HBM4E样品交付,未来将依托存储器、晶圆代工、系统LSI及先进封装组成的一站式供应体系,持续扩大在全球AI存储市场的竞争优势。
值得注意的是,三星主要竞争对手SK海力士已于2025年3月率先向客户交付12层HBM4样品,并于2025年下半年实现量产。SK海力士此前披露,其HBM4带宽最高可达2TB/s,并计划于2026年推出16层HBM4产品。随着三星HBM4E样品出货,下一代HBM竞争正进一步升温。
目前,三星正与SK海力士、美光科技等厂商竞争下一代HBM市场。随着英伟达、AMD、谷歌、Meta等科技巨头持续扩建AI数据中心,HBM已成为全球AI产业链最关键的高端存储器产品之一。
THE END
原文标题 : 三星电子宣布交付全球首批12层48GB HBM4E样品
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