晶圆键合（Wafer Bonding）或者芯片和晶圆键合，通常是指将两片或多片晶圆（同质 / 异质）利用不同的物理或化学机制实现两片晶圆，乃至不同材料或功能层相互结合的技术，以提高器件的性能和可靠性，使界面产生反应共价键、金属键等。用于异质结键合、共晶键合、阳极键合、胶键合等；在CIS、MEMS、NAND、DRAM、先进逻辑和先进封装等领域应用广泛。

    键合的方式有很多种，早期的芯片之间通过金线或铜线连接。

晶圆键合中使用的聚酰亚胺（PI）材料主要有以下几种类型及特点：

普通聚酰亚胺（PI）

特性：耐高温（长期使用温度200-400℃）、耐化学腐蚀、力学强度高，可作为中间层实现晶圆键合，通过调整固化周期可实现PI-PI键合或与其他材料（如PDMS）的异质键合。应用：适用于低温键合（温度<300℃），常用于柔性MEMS、三维集成等场景，能填补晶圆表面微米级起伏，无需额外平坦化处理。

光敏聚酰亚胺（PSPI）

特性：引入光敏基团，可通过“涂覆-曝光-显影-固化”工艺实现图形化，精度可达纳米级，兼具PI的耐高温、绝缘性能。应用：用于高密度互连的晶圆键合，尤其在AI芯片、HBM（高带宽存储器）等先进封装中，可精准定义键合区域，减少对准误差。

高耐热性树脂聚酰亚胺

特性：弹性模量更高，晶圆总厚度偏差控制更优（&le;1.0&mu;m），不含受监管的有害成分（如NMP、PFAS），耐300℃以上高温工艺。应用：专为超薄晶圆（厚度&le;50&mu;m）键合设计，适用于功率器件、3D IC、TSV（硅通孔）等先进工艺，能有效解决晶圆减薄过程中的变形与压力不均问题。

纳米复合聚酰亚胺

特性：通过添加纳米颗粒（如氮化硼纳米管、二氧化硅等）提升热导率、降低介电常数，兼具机械强度与散热性能。应用：适用于高性能计算芯片、异构集成场景，可减少信号延迟，提升键合界面的热管理效率。

这些PI材料的选择需根据具体工艺需求（如键合温度、晶圆厚度、互连密度等）和性能要求（如耐热性、绝缘性、力学强度）进行匹配，以实现可靠的晶圆键合。

使用中间聚合物层（如BCB、聚酰亚胺、光刻胶）作为粘合剂。通过旋涂等方式在晶圆上形成聚合物薄膜，然后在相对较低的温度（通常<400&deg;C）和压力下将两片晶圆粘合在一起。

高分子键合作为三维集成电路中实现芯片堆叠的关键技术之一，依托高分子材料的黏附与内聚特性构建机械连接，其工艺特性与材料选择深度影响集成系统的性能与可靠性。该技术的核心优势在于低温（通常<200℃）、低压（<1MPa）的工艺条件，显著降低对已成型器件的热应力损伤，与CMOS工艺高度兼容；同时，高分子层可有效填补硅片表面微米级起伏（粗糙度<50nm），无需额外平坦化处理，大幅简化前道工艺。然而，其对准精度（通常>1&mu;m）受限于材料软化引发的层间滑移，且低热导率（<0.5W/m·K）易导致堆叠层间热积累，成为制约高性能计算芯片散热的瓶颈。

当前主流高分子键合材料聚焦于热固性树脂体系，其中苯并环丁烯（BCB）与聚酰亚胺（PI）凭借优异的热稳定性（玻璃化转变温度>350℃）、低吸湿性（<1%）及良好的黏附性占据主导地位，而硅氧烷基光敏材料SINR则通过光刻兼容性简化了图形化流程。材料选择需综合考量玻璃化转变温度与键合温度的匹配性、内聚强度（>50MPa）及气体释放量（<1ppm），以确保键合界面无空洞缺陷。工艺实施中，液态前驱体通过旋涂（均匀性<5%）或喷涂（均匀性<7.5%）形成微米级薄膜（厚度1-10&mu;m），经低温固化（150-250℃）后，通过干法刻蚀或光敏曝光实现金属互连区域的图形化；固态高分子薄膜因无需溶剂挥发，近年来在均匀性控制（厚度偏差<2%）与工艺稳定性方面展现出更大潜力。

对准误差控制是高分子键合的核心挑战，其来源包括键合前初始偏差、上下层CTE失配（<2ppm/℃）引发的热膨胀差异，以及键合过程中高分子软化导致的层间滑移（5-10&mu;m）。为缓解滑移效应，行业正探索纳米级表面纹理化技术，通过增加机械互锁提升层间摩擦力；同时，混合键合方案（如高分子-金属复合键合）通过局部引入金属凸点，在保证整体柔性的同时提升关键区域的对准精度（<500nm）。最新研究还聚焦于高热导率高分子材料开发，例如氮化硼纳米管填充的复合树脂，其热导率已突破2W/m·K，较传统材料提升300%。

       原文标题 : 晶圆键合之 粘合剂键合（Adhesive Bonding）