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VLSI 2026最佳论文：42nm栅距3D堆叠晶体管全解析
三星半导体研究中心在上周的VLSI 2026国际会议上拿了一篇最佳论文，评分8.29，在一千多篇投稿里排名最靠前的几篇之一。 研究的东西叫3D Stacked FET。VLSI是半导体器件领域最核心的
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顶会VLSI 2026要来了 , 中国大陆336篇投稿领跑全球（亮点解析）
2026年超大规模集成电路（VLSI）研讨会作为全球半导体领域最具影响力的学术盛会之一，汇集了来自世界各地的顶尖研究机构和企业。本届研讨会收到的投稿论文数量首次突破1000篇大关。 今年将于6月14日
VLSI 2026-06-10
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