MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 M查看详情>RAM主体结构由三层结构的MTJ（magnetic tunnel junction）构成：自由层（free layer），固定层（fixed layer）和氧化层（Tunneling oxide）。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。STT-MTJ利用自由层和固定层磁矩方向来存储信息，平行状态（parallel），电阻为低阻；非平行状态（anti-parallel），电阻为高阻。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。
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MRAM国产产业链, 正在打通
全球能够实现MRAM量产的企业屈指可数。长期以来，这条赛道被少数头部玩家占据：Everspin是全球唯一以MRAM为主营业务的上市公司；三星、台积电将嵌入式MRAM集成至先进逻辑工艺；恩智浦把MRAM
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MRAM产业化进入“临界点”
2026年以来，MRAM不再是PPT里的“下一代存储器”。亚洲首个8nm eMRAM流片、搭载致真存储SOT-MRAM的无人机完成试飞、台积电1纳秒SOT-MRAM突破、全球首条8英寸磁性随机存储芯片
MARM 2026-05-15
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